[发明专利]一种规模化连续制备二维纳米薄膜的装置有效
申请号: | 201210163121.9 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN102650046A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 徐明生 | 申请(专利权)人: | 徐明生 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C14/56;C23C28/00 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 刘晓春 |
地址: | 114002 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种规模化连续制备二维纳米薄膜的装置,包括进料腔室、处理腔室、第一平衡腔室、第一薄膜制备腔室、第二平衡腔室、第二薄膜制备腔室、第三平衡腔室、化学气相沉积腔室和出料腔室等;各腔室之间设有阀门,样品通过传送装置实现在各腔室之间的连续传输;薄膜制备腔室设有物理气相沉积系统;化学气相沉积系统设有加热装装置和气体连接口等;整套装置设有自动化控制系统以控制腔室之间的阀门的开关、样品的传输、气体流量的控制、抽真空等。利用本设备,可以规模化连续制备石墨烯、金属硫族化合物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜。本设备具有连续成膜的特征,可以在不同腔室实现规模化连续制备二维纳米薄膜的所需的衬底/催化层以及样品预处理等,适合于二维纳米薄膜的产业化制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 规模化 连续 制备 二维 纳米 薄膜 装置 | ||
【主权项】:
一种规模化连续制备二维纳米薄膜的装置,其特征在于依次设有进料腔室(1)、处理腔室(2)、第一平衡腔室(3)、第一薄膜制备腔室(4)、第二平衡腔室(5)、第二薄膜制备腔室(6)、第三平衡腔室(7)、化学气相沉积腔室(8)和出料腔室(9),其中:进料腔室(1)设有与大气相通的阀门(10),进料腔室(1)与处理腔室(2)之间设有阀门(11),处理腔室(2)与第一平衡腔室(3)之间设有阀门(12),第一平衡腔室(3)与第一薄膜制备腔室(4)之间设有阀门(13),第一薄膜制备腔室(4)与第二平衡腔室(5)之间设有阀门(14),第二平衡腔室(5)与第二薄膜制备腔室(6)之间设有阀门(15),第二薄膜制备腔室(6)与第三平衡腔室(7)之间设有阀门(16),第三平衡腔室(7)与化学气相沉积腔室(8)之间设有阀门(17),化学气相沉积腔室(8)与出料腔室(9)之间设有阀门(18),出料腔室(9)设有与大气相通的阀门(19);进料腔室(1)、处理腔室(2)、第一平衡腔室(3)、第一薄膜制备腔室(4)、第二平衡腔室(5)、第二薄膜制备腔室(6)、第三平衡腔室(7)、化学气相沉积腔室(8)和出料腔室(9)的腔室内均设有样品传送装置;进料腔室(1)、处理腔室(2)、第一平衡腔室(3)、第一薄膜制备腔室(4)、第二平衡腔室(5)、第二薄膜制备腔室(6)、第三平衡腔室(7)、化学气相沉积腔室(8)和出料腔室(9) 中的至少一个的腔室设有抽真空装置;第一薄膜制备腔室(4)和第二薄膜制备腔室(6)的至少一个的腔室内设有物理气相沉积系统; 进料腔室(1)、处理腔室(2)、第一平衡腔室(3)、第一薄膜制备腔室(4)、第二平衡腔室(5)、第二薄膜制备腔室(6)、第三平衡腔室(7)、化学气相沉积腔室(8)和出料腔室(9)中的至少一个腔室设有一个或二个以上的气体连接口;化学气相沉积腔室(8)的腔室内设有加热装置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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