[发明专利]一种制备电阻存储器件的方法及其产品与应用无效
| 申请号： | 201210163516.9 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102694121A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 赵宏武;张培健;孟洋;李栋;孟庆宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H05B33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备电阻存储器件的方法以及由此制备的均匀发光的电阻存储器件及其应用。所述制备方法包括在0～150℃形成底电极、氧化物介质层和顶电极的步骤，所述介质层由具有电阻转变和发光特性的材料构成，并且所述底电极和所述顶电极的至少一个对所述介质层所发的光透明。本发明的制备方法步骤简单、节约能耗，由此制备的电阻存储器件具有不交叉8字形的I-V特性，可用于光电一体器件；发光均匀稳定，满足器件可商业化、小型化的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 电阻 存储 器件 方法 及其 产品 应用 | ||
【主权项】：
一种制备电阻存储器件的方法，包括：S1在衬底上形成底电极；S2在所述底电极上形成介质层，所述介质层由具有电阻转变和发光特性的材料构成；S3在所述介质层上形成顶电极，其中所述底电极和所述顶电极的至少一个对所述介质层所发的光透明；并且所述步骤S2和S3在0～150℃进行。
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