[发明专利]V2O3复合限流元件的制备方法无效
| 申请号： | 201210163553.X | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102682939A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杨敬义 | 申请（专利权）人： | 成都顺康电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 谢焕武 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种V2O3复合限流元件的制备方法。该制备方法是按照以下步骤制备：a、以V2O3陶瓷粉末为基材，在其中添加聚四氟乙烯乳液，经混和器进行干法混合，造粒；b、直接将造粒后的粉料加入模具，放入压机预压成型制成毛坯；c、然后将毛坯放入烧结炉内烧结；形成复合限流元件芯片；d、冷却后可利用电镀或溅射方式在芯片两端形成金属电极。本发明的V2O3复合限流元件的制备方法解决了己有PTC陶瓷限流元件存在不易低阻化，易分层；V2O3限流元件存在易碎裂，寿命短，以及高分子PTC元件存在恢复特性差，寿命短等问题。利用本制造方法能制备出各种规格的超小型，大电流的限流元件。 | ||
| 搜索关键词： | sub 复合 限流 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种V2O3复合限流元件的制备方法，其特征是按照以下步骤制备： a 、以V2O3陶瓷粉末为基材，在其中添加聚四氟乙烯乳液，经混和器进行干法混合，造粒；b 、直接将造粒后的粉料加入模具，放入压机预压成型制成毛坯；c 、然后将毛坯放入烧结炉内烧结；形成复合限流元件芯片；d 、冷却后可利用电镀或溅射方式在芯片两端形成金属电极。
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