[发明专利]一种利用二次阳极氧化铝模板制备多层纳米线及方法无效
| 申请号： | 201210164263.7 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102677115A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张卫国;王宏智;姚素薇;谢仁鑫 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25D5/12 | 分类号： | C25D5/12;C25D5/18 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种利用二次阳极氧化铝模板制备多层纳米线及方法；其多层纳米线为[NiFe/Cu/Co/Cu]n。NiFe层与Cu/Co/Cu层交替排列组成，直径为80~120nm。采用双电解槽，利用三电极体系进行双槽控电位沉积；先将二次阳极氧化铝膜电极置于NiFe电解槽中，控电位沉积NiFe合金，经超声清洗，快速转换至Cu/Co/Cu电解槽中，通过双脉冲技术控电位沉积Cu/Co/Cu，为1个周期，如此重复个n周期；获得[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线。应用本方法制备的[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线阵列直径可控，纳米线长度可控，本发明设备简单，易于操作，通常在常温、常压下进行，因而生产成本低，容易实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 二次 阳极 氧化铝 模板 制备 多层 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种利用二次阳极氧化铝模板制备多层纳米线，其特征是多层纳米线为[NiFe/Cu/Co/Cu]n；NiFe层与Cu/Co/Cu层交替排列组成；直径为80~120nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210164263.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于底部搅拌器密封的轴承保护装置
- 下一篇：一种抛光机
