[发明专利]一种透明非晶态氧化物半导体溅镀靶材无效
| 申请号： | 201210164460.9 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102677006A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 石宗祥;陈泓旭;方绍为;李仁佑;吕学兴;陈佳榆 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种透明非晶态氧化物半导体溅镀靶材，至少包括：一第一透明非晶态氧化物半导体；一第二透明非晶态氧化物半导体，与所述第一透明非晶态氧化物半导体相对设置，且所述第一透明非晶态氧化物半导体和所述第二透明非晶态氧化物半导体之间具有一靶材间隙；以及一阻挡部，设置于所述靶材间隙中，并且所述阻挡部采用特定的导电材料或绝缘材料制成。采用本发明，于相邻的两个透明非晶态氧化物半导体之间的靶材间隙内设置一阻挡部，该阻挡部可采用特定的导电材料或绝缘材料制成，从而可降低位于该透明非晶态氧化物半导体下方的背板被溅镀的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 晶态 氧化物 半导体 溅镀靶材 | ||
【主权项】：
一种透明非晶态氧化物半导体(Transparent Amorphous Oxide Semiconductor，TAOS)溅镀靶材，其特征在于，所述透明非晶态氧化物半导体溅镀靶材至少包括：一第一TAOS；一第二TAOS，与所述第一TAOS相对设置，且所述第一TAOS和所述第二TAOS之间具有一靶材间隙；以及一阻挡部，设置于所述靶材间隙中，并且所述阻挡部采用特定的导电材料或绝缘材料制成。
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