[发明专利]一种单片垂直集成多波长半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 201210164671.2 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102709813A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 佟存柱;杨晔;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片垂直集成多波长半导体激光器，该多波长激光器通过一次外延生长和工艺制备得到，其中激光器芯片至少包含两个基本单元，每个单元具有独立的激光器结构，相邻的上、下基本单元之间由高铝组分AlxGa1-xAs层隔开。基本单元间通过AlxGa1-xAs湿氧化法生成绝缘氧化物电隔离。芯片的基本单元在垂直方向的结构包括：衬底区、核心区、电极区，每个基本单元的工作波长可以是砷化镓基激光器所能实现波段内的任意波长，并可进行单独的电流注入和功率输出控制。本发明所述的多波长半导体激光器，单片垂直集成于同一衬底上，集成单元器件独立电驱动，具有集成度高、波长功率可控、一次外延生长、制备工艺简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 垂直 集成 波长 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单片垂直集成多波长半导体激光器，其特征在于，包括：在垂直于衬底方向上依次设有的散热装置和至少两个基本单元，相邻的两个基本单元之间设有进行电隔离的氧化绝缘层；每个所述基本单元包括：衬底区，用于承载基本单元中的各层材料，其中最下层的基本单元中的衬底区与所述散热装置相连；核心区，用于实现某一波长激光发射的完整激光器结构；电极区，包括与所述核心区相连的正电极和与所述衬底区相连的负电极。
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