[发明专利]填充金属的方法有效
| 申请号： | 201210165002.7 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103426814A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种填充金属的方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有层间介质层、以及位于所述层间介质层内的第一凹槽；在所述第一凹槽的底部和侧壁依次沉积阻挡层和覆盖所述阻挡层的籽晶层，形成第二凹槽；通过离子液体电沉积工艺在所述第二凹槽内沉积金属材料，至填满第二凹槽，形成金属层。本发明填充金属的方法通过离子液体电沉积工艺在沟槽中填充金属材料，形成金属层，所形成金属层的致密性好，能够有效避免金属层中金属原子扩散，提高了包含所形成金属层的半导体器件的性能，降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 金属 方法 | ||
【主权项】：
一种填充金属的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有层间介质层、以及位于所述层间介质层内的第一凹槽；在所述第一凹槽的底部和侧壁依次沉积阻挡层和覆盖所述阻挡层的籽晶层，形成第二凹槽；通过离子液体电沉积工艺在所述第二凹槽内沉积金属材料，至填满第二凹槽，形成金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
