[发明专利]一种低温固相反应制备Cu2Se热电材料的方法无效

专利信息
申请号: 201210165497.3 申请日: 2012-05-25
公开(公告)号: CN102674270A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 唐新峰;吴优;谢文杰 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 唐万荣
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种Cu2Se热电材料的制备方法。一种低温固相反应制备Cu2Se热电材料的方法,其特征在于它包括如下步骤:1)以Cu粉、Se粉为原料,按Cu粉和Se粉摩尔比为2:1,称取Cu粉和Se粉混合均匀,得到混合粉体;2)将混合粉体在压片机上压成块体,将块体置于石墨坩埚内,抽真空并密封于石英玻璃管中,再置于马弗炉中650~750℃固相反应12~24h,将所得产物研磨成粉末;3)将步骤2)所得粉末进行放电等离子体烧结,得到致密块体,即为Cu2Se热电材料。本发明原料成本低廉,反应温度低,节省能源,并且按照Cu2Se的化学计量比投料,能较精确地控制产物组成,重复性好。
搜索关键词: 一种 低温 相反 制备 cu sub se 热电 材料 方法
【主权项】:
一种低温固相反应制备Cu2Se热电材料的方法,其特征在于,它包括如下步骤:1)以Cu粉、Se粉为原料,按Cu粉和Se粉摩尔比为2:1,称取Cu粉和Se粉,将两者混合均匀,得到混合粉体;2)将混合粉体在压片机上压成块体,将块体置于石墨坩埚内,抽真空并密封于石英玻璃管中,再置于马弗炉中650~750℃固相反应12~24h,将所得产物研磨成粉末;3)将步骤2)所得粉末进行放电等离子体烧结,得到致密块体,即为Cu2Se热电材料。
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