[发明专利]PMOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201210165882.8 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103426767A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 何永根;陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供形成有栅介质层的衬底；形成覆盖所述栅介质层的功函数金属层，所述功函数金属层的材料为金属氮化物；在所述衬底所在的反应腔内通入NH3气体，并对所述功函数金属层进行热处理，以增加功函数金属层的含氮量；进行热处理后，在所述功函数金属层上形成栅电极。本发明利用NH3对所述功函数金属层进行热处理，提高PMOS功函数金属层中金属氮化物的含氮量，导致PMOS晶体管功函数的增加，从而降低PMOS晶体管的阈值电压，改善器件电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供形成有栅介质层的衬底；形成覆盖所述栅介质层的功函数金属层，所述功函数金属层的材料为金属氮化物；在所述衬底所在的反应腔内通入NH3气体，并对所述功函数金属层进行热处理，以增加功函数金属层的含氮量；进行热处理后，在所述功函数金属层上形成栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
