[发明专利]一种双面背接触太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种双面背接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)开孔；(2)清洗，在硅片的正面和背面进行制绒；(3)在硅片的正面和孔内设置第一掺杂剂，在硅片背面的孔的周围区域设置第一掺杂剂；第一掺杂剂的掺杂类型与硅片的类型相反；(4)在硅片背面的非孔周围区域设置第二掺杂剂；第二掺杂剂的掺杂类型与硅片的类型相同；(5)在硅片的正面和背面均生长阻挡层；(6)将上述硅片在800~1000℃下进行退火，扩散制结；(7)刻蚀周边结；(8)清洗、去除阻挡层；(9)在硅片的正背面设置钝化减反射膜；(10)在孔内设置孔金属电极；印刷，烧结。本发明采用设置掺杂剂的方法，在硅片的两面设置不同类型的掺杂剂，配合阻挡层，实现了硼磷的共扩散，大大简化了工艺流程，降低了生产成本。

主权项

一种双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在硅片上开孔；(2) 清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；(3) 在硅片的正面和孔内设置第一掺杂剂，在硅片背面的孔的周围区域设置第一掺杂剂；所述第一掺杂剂的掺杂类型与硅片的类型相反；(4) 在硅片背面的非孔周围区域设置第二掺杂剂；所述第二掺杂剂的掺杂类型与硅片的类型相同；(5) 在硅片的正面和背面均生长阻挡层；(6) 将步骤(5)得到的硅片在800~1000℃下进行退火，扩散制结；(7) 刻蚀周边结；(8) 清洗硅片表面并去除阻挡层；(9) 在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；(10) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到双面背接触太阳能电池。