[发明专利]一种太阳电池用铜铟硒硫薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种非真空的湿化学法制备CuIn(Se,S)2薄膜的方法，包括如下步骤：（a）前躯体墨水制备（b）前躯体薄膜制备（c）干燥（d）退火处理。本发明所提供的铜铟硫薄膜制备方法，与传统的高真空气相法相比，其工艺简单，成本低，可重复性强，易实现大规模生产，原料物化性质稳定安全性好，原料利用率高，可促进铜铟硒硫薄膜太阳能电池产业化快速发展。

主权项

一种太阳电池用铜铟硒硫薄膜的制备方法，其特征在于按如下的步骤进行：a）前躯体墨水制备：将含Cu、含In、含S的化合物，按照Cu:In:S摩尔比为4‑4.8:3:9‑15，溶入适量吡啶溶剂中，加热至65‑80 ℃，搅拌8‑15 min，得到蓝黑色前躯体墨水；b）前躯体薄膜制备：将步骤a中所述墨水利用旋涂的方法，在钠钙玻璃Mo衬底上涂前躯体薄膜，反复旋涂，可制备出500‑2000 nm厚度的薄膜；c）干燥：将步骤b所制备的前躯体薄膜，在80 ℃下干燥 1‑5 min，然后再接着采用1000‑1500 r/min进行旋涂，干燥处理；d）退火处理：将步骤c干燥后的前躯体薄膜，进行硒化退火处理形成铜铟硒硫薄膜。