[发明专利]用于制造磁记录头中窄线结构的方法和系统

摘要

本发明描述了一种用于制造在磁记录头中结构的方法。在用于结构的层上提供第一和第二硬掩膜层。在第二硬掩膜层上提供底层抗反射涂（BARC）层和具有图案的光致抗蚀剂掩膜。该图案包括与结构相对应的线路。利用蚀刻化学以单一蚀刻将该图案转移到底层抗反射涂层（BARC）和第二硬掩膜层。利用和第一蚀刻化学大致相同的蚀刻化学修剪至少第二硬掩膜层。形成包括与线路相对应的硬掩膜线路以及宽度少于三十纳米的掩膜。第二硬掩膜的图案转移到第一硬掩膜层。第一硬掩膜层的图案转移到使得结构具有大致宽度的层。

主权项

一种从至少一个与一结构相对应的层形成在磁记录头中的所述结构的方法，该方法包括：在至少一个层上提供第一硬掩膜层；在所述第一硬掩膜层上提供第二硬掩膜层；在所述第二硬掩膜层上提供底层抗反射涂层，即BARC层；在所述第二硬掩膜层上提供具有图案的光致抗蚀剂掩膜，所述图案包括与所述结构相对应的线路；利用第一蚀刻气体以单一蚀刻转移所述图案到所述底层抗反射涂层和所述第二硬掩膜层，转移所述图案的步骤是垂直的非均质蚀刻；利用第二蚀刻气体至少修剪所述第二硬掩膜层、光致抗蚀剂掩膜以及所述BARC层，以提供包括与所述线路相对应的硬掩膜线路的掩膜，所述硬掩膜线路具有小于三十纳米的宽度并且包括所述第二硬掩膜层的保留部分，修剪的步骤是配置为以与所述垂直的非均质蚀刻基本垂直的方向消除材料的水平的非均质蚀刻，其中所述第二蚀刻气体包括所述第一蚀刻气体；在至少修剪所述第二硬掩膜层的步骤之后，转移包括所述硬掩膜线路的所述第二硬掩膜层的图案到所述第一硬掩膜层，所述光致抗蚀剂掩膜的保留部分在转移图案的步骤期间被消耗；以及转移所述第一硬掩膜层的图案到至少一个层，使得结构具有所述宽度。