[发明专利]一种电压源电路无效
申请号: | 201210167250.5 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN102662427A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 赵喆;陈岚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种电压源电路,包括电流源电路和参考电压输出级,所述参考电压输出级包括:第一NMOS管,源极接地,栅极与漏极相连;第一PMOS管,源极与电源相连,栅极与所述电流源电路的输出端相连,漏极与所述第一NMOS管的漏极相连;所述电流源电路由MOS管和电阻组成。本发明实施例中的电压源电路,仅使用MOS管和电阻,不需要双极型晶体管以及其他类型的晶体管,结构简单,占用芯片的面积小,制造成本低,能够用于与数字电路兼容的标准CMOS工艺中,提高了模拟电路与数字电路的兼容性。 | ||
搜索关键词: | 一种 电压 电路 | ||
【主权项】:
一种电压源电路,包括电流源电路和参考电压输出级,其特征在于,所述电流源电路由MOS管和电阻组成,所述电流源电路与电源相连并接地,用于提供与温度成正比的输出电流;所述参考电压输出级包括第一PMOS管和第一NMOS管,所述第一PMOS管的源极与所述电源相连,栅极与电流源电路的输出端相连,漏极与所述第一NMOS管的漏极相连,用于将所述电流源电路输出的所述输出电流镜像;所述第一NMOS管的源极接地,栅极与漏极相连,用于将所述镜像后的所述输出电流转换成输出电压。
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