[发明专利]一种基于表面等离子体的波导光耦合器及其制备工艺有效

专利信息
申请号: 201210168742.6 申请日: 2012-05-28
公开(公告)号: CN102650711A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 杨树明;韩枫;李磊;张坤;胡庆杰;蒋庄德 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G02B6/132 分类号: G02B6/132;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/58
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种基于表面等离子体的波导光耦合器及其制备工艺。首先在半导体硅(Si)上制备氧化锌(ZnO)薄膜,然后在此薄膜上溅射银(Ag)颗粒,从而制备出光耦合器的波导层。通过优化波导结构和几何参数,产生表面等离子体增强效果,从而使光在波导中传播时不再受衍射极限的限制。
搜索关键词: 一种 基于 表面 等离子体 波导 耦合器 及其 制备 工艺
【主权项】:
一种基于表面等离子体的波导光耦合器的波导层制备方法,其特征在于,包括如下步骤:首先在硅(Si)基底(1)上通过射频磁控溅射工艺沉积金属氧化物薄膜(2),其后通过气相沉积工艺对薄膜在大气气氛下进行热处理,保温后,再通过直流磁控溅射工艺沉积金属银(Ag)颗粒(3)。
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