[发明专利]三维非易失性存储器件及其制造方法

摘要

一种具有三维(3D)结构的非易失性存储器件，其包括多个存储串，各个存储串包括串联耦接的漏极选择晶体管、漏极侧存储器单元、管道晶体管、源极侧存储器单元以及源极选择晶体管，其中所述多个存储串布置在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上，并且布置在第二方向上的存储串形成各个存储串列；多个位线，其在第二方向上延伸并且耦接到各个存储串列中所包括的存储串的漏极选择晶体管；以及多个源极线，其在第一方向上延伸并且共同耦接到在第二方向上彼此相邻的存储串的源极选择晶体管，其中存储串列中的一个所包括的存储串在第一方向上交错排列，并且存储串列中的每个耦接到位线中的至少两个。

主权项

一种具有三维结构的非易失性存储器件，包括：多个存储串，所述多个存储串每个都包括串联耦接的漏极选择晶体管、漏极侧存储器单元、管道晶体管、源极侧存储器单元以及源极选择晶体管，其中所述多个存储串布置在第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上，并且布置在所述第二方向上的存储串形成各个存储串列；多个位线，所述多个位线在所述第二方向上延伸并且与各个存储串列中包括的存储串的漏极选择晶体管耦接；以及多个源极线，所述多个源极线在所述第一方向上延伸并且共同耦接到在所述第二方向上彼此相邻的存储串的源极选择晶体管，其中，所述存储串中的一个中所包括的所述漏极选择晶体管和所述源极选择晶体管在所述第二方向上彼此相邻，并且所述存储串列中的一个中所包括的存储串在所述第一方向上交错排列，使得所述存储串列中的每个耦接到所述位线中的至少两个。