[发明专利]用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法无效
| 申请号： | 201210169640.6 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102674357A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 高攀;陈建军;刘熙;严成锋;孔海宽;忻隽;郑燕青;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法，包括：配料工序：采用高纯Si粉和高纯C粉为原料，高纯Si粉和高纯C粉的摩尔比大于1∶1且在1.5∶1以下；预处理工序：将高纯Si粉和高纯C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至1×10-3Pa以下，同时将温度升高至600～1300℃；以及高温合成工序：在规定压力的高纯非氧化性气氛下，于反应温度1500～2500℃下，保持反应2～20小时，而后降至室温，即可得到用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 生长 高纯 原料 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法，其特征在于，所述合成方法包括：配料工序：采用高纯Si粉和高纯C粉为原料，所述高纯Si粉和高纯C粉的摩尔比大于1：1且在1.5：1以下；预处理工序：将所述高纯Si粉和高纯C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对所述加热炉的生长室抽高真空至1×10‑3Pa以下，同时将温度升高至600～1300℃；以及高温合成工序：在规定压力的高纯非氧化性气氛下，于反应温度1500～2500℃下，保持反应2～20小时，而后降至室温，即可得到用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料。
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