[发明专利]单模光纤及其制造方法有效
| 申请号： | 201210169771.4 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102798927A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | P·斯拉德;M·比戈-阿斯楚克 | 申请（专利权）人： | 德拉克通信科技公司 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036;C03B37/027 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及单模光纤及其制造方法，该单模光纤从中心到外周依次包括纤芯、至少第一凹陷包层和第二凹陷包层以及外包层。所述纤芯的半径(Rco)为3.5μm～5.5μm，并且所述纤芯相对于所述外包层的折射率差(Dnco-Dnout)为0～3×10-3；所述第一凹陷包层的半径(Rcl1)为9μm～15μm，并且所述第一凹陷包层相对于所述外包层的折射率差(Dncl1-Dnout)为-5.5×10-3～-2.5×10-3；所述第二凹陷包层的半径(Rcl2)为38μm～42μm，并且所述第二凹陷包层相对于所述第一凹陷包层的折射率差(Dncl2-Dncl1)为-0.5×10-3～0.5×10-3；以及所述外包层的半径为61.5μm～63.5μm。可以以小成本来制造衰减降低的光纤。 | ||
| 搜索关键词： | 单模 光纤 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单模光纤，其从中心到外周依次包括纤芯、至少第一凹陷包层和第二凹陷包层以及外包层，其中：所述纤芯的半径(Rco)为3.5μm～5.5μm，并且所述纤芯相对于所述外包层的折射率差(Dnco‑Dnout)为0～3×10‑3；所述第一凹陷包层的半径(Rcl1)为9μm～15μm，并且所述第一凹陷包层相对于所述外包层的折射率差(Dncl1‑Dnout)为‑5.5×10‑3～‑2.5×10‑3；所述第二凹陷包层的半径(Rcl2)为38μm～42μm，并且所述第二凹陷包层相对于所述第一凹陷包层的折射率差(Dncl2‑Dncl1)为‑0.5×10‑3～0.5×10‑3；以及所述外包层的半径为61.5μm～63.5μm。
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