[发明专利]一种触控单元、阵列基板、液晶成盒基板及触控显示器有效
申请号: | 201210169808.3 | 申请日: | 2012-05-28 |
公开(公告)号: | CN102707858A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 李成;李晓坤;陈东;裴扬 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种触控单元、阵列基板、液晶成盒基板及触控显示器。其触控单元包括:多个触控子单元,每个触控子单元包括:触控薄膜场效应晶体管TFT、感应电容、读取感应线、和存储电容,所述存储电容的电容量小于所述感应电容的电容量;所述触控TFT的栅极连接阵列基板的栅线;所述触控TFT的漏极连接所述读取感应线;所述感应电容的一端连接所述触控TFT的源极;所述存储电容的一端连接所述触控TFT的源极,另一端连接稳压电极。由于增加了存储电容来稳定触控TFT的电压,降低了噪声对触控TFT电压的干扰,有效提高了触控单元的信号稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 单元 阵列 液晶 成盒基板 显示器 | ||
【主权项】:
一种触控单元,其特征在于,包括:多个触控子单元,每个触控子单元包括:触控薄膜场效应晶体管TFT、感应电容、读取感应线、和存储电容,所述存储电容的电容量小于所述感应电容的电容量;所述触控TFT的栅极连接阵列基板的栅线;所述触控TFT的漏极连接所述读取感应线;所述感应电容的一端连接所述触控TFT的源极;所述存储电容的一端连接所述触控TFT的源极,另一端连接稳压电极。
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