[发明专利]利用正硅酸乙酯制备二氧化硅的设备及方法有效
| 申请号： | 201210169841.6 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102674373A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 江润峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用正硅酸乙酯制备二氧化硅的设备及方法。正硅酸乙酯反应腔与泵相连，正硅酸乙酯反应腔通过第一气体流量计连接至正硅酸乙酯气体源；并且，在正硅酸乙酯气体源与第一气体流量计之间的运气管路上布置了第一加热保护套，在正硅酸乙酯反应腔与第一气体流量计之间的运气管路上布置了第三加热保护套；而且，所述第一加热保护套C1的温度被设定为100℃，所述第三加热保护套的温度被设定为高于100℃，例如120℃。本发明将靠近正硅酸乙酯气体源的加热保护套的温度设定为100℃，靠近正硅酸乙酯反应腔的加热保护套的温度设定为更高温度；由此防止气体在靠近正硅酸乙酯反应腔的管路中的凝聚，达到了即保护密封圈，又减少颗粒的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 硅酸 制备 二氧化硅 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种利用正硅酸乙酯制备二氧化硅的设备，其特征在于包括：正硅酸乙酯反应腔、泵、第一气体流量计以及正硅酸乙酯气体源；其中，所述正硅酸乙酯反应腔与所述泵相连，所述正硅酸乙酯反应腔通过所述第一气体流量计连接至所述正硅酸乙酯气体源；并且，在所述正硅酸乙酯气体源与所述第一气体流量计之间的运气管路上布置了第一加热保护套，在所述正硅酸乙酯反应腔与所述第一气体流量计之间的运气管路上布置了第三加热保护套；而且，所述第一加热保护套C1的温度被设定为100℃，所述第三加热保护套的温度被设定为高于100℃。
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