[发明专利]用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 201210169886.3 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102810607A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司;宫崎敦嗣 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;C23C16/34;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造驱动电压被减小的III族氮化物半导体发光器件的方法。在该制造方法中，p覆层具有其中交替地沉积了具有0.5nm至10nm厚度的p-AlGaN层以及InGaN层的超晶格结构。p-AlGaN层的生长温度是800℃至950℃。通过在将p-AlGaN层保持于生长温度的同时停止TMA的供应、引入TMI并增大Ga源气体的供应量，在p-AlGaN层上形成具有一至两个单层的厚度的InGaN层。由此，可以在保持良好的晶体质量的同时减小p覆层的厚度，从而减小驱动电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 iii 氮化物 半导体 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造具有p覆层的III族氮化物半导体发光器件的方法，该方法包括：通过利用MOCVD重复生长具有0.5nm至10nm厚度的p‑AlGaN层以及InGaN层来形成所述p覆层，其中，通过在将所述p‑AlGaN层保持于生长温度的同时停止Al源气体的供应、引入In源气体并增大Ga源气体的供应量，在所述p‑AlGaN层上形成具有一至两个单层的厚度的所述InGaN层。
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