[发明专利]发光二极管芯片中电流扩展的方法和发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201210169945.7 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103456844A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 段大卫;马克;马赛罗 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 戴云霓 |
| 地址： | 528300 广东省佛山市南海区罗村街道朗沙村委*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片中电流扩展的方法和发光二极管芯片，方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括与N电极电气接触的N型约束层、被构建成发射电磁辐射的多量子阱MQW层和与P电极电气接触的P型约束层，N型约束层、P型约束层分别与多量子阱层电气接触；提供具有第一电气电阻的N型约束层或者其选定的部分；提供具有第二电气电阻的P型约束层或者其选定的部分；提供具有第一接触电阻的N电极；提供具有第二接触电阻的P电极；选择第一电气电阻、第二电气电阻、第一接触电阻和第二接触电阻以在非直线路径引导电子流并且均匀扩展电流穿过多量子阱层。该方法可实现LED芯片的均匀电流扩展、均匀电致发光和最大内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 电流 扩展 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管LED芯片中电流扩展的方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括与N电极电气接触的N型约束层、被构建成发射电磁辐射的多量子阱MQW层和与P电极电气接触的P型约束层，所述N型约束层、所述P型约束层分别与所述多量子阱MQW层电气接触；提供具有第一电气电阻的N型约束层或者N型约束层的选定的部分；提供具有第二电气电阻的P型约束层或者P型约束层的选定的部分；提供具有第一接触电阻的N电极；提供具有第二接触电阻的P电极；以及选择所述第一电气电阻、所述第二电气电阻、所述第一接触电阻和所述第二接触电阻以在非直线路径引导电子流并且均匀扩展电流穿过所述多量子阱MQW层。
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