[发明专利]光电二极管阵列及其形成方法

摘要

一种光电二极管阵列及其形成方法，所述光电二极管阵列位于具有互连层的基底上；所述光电二极管阵列位于所述互连层上，且每一光电二极管与所述互连层的对应位置电连接，相邻的光电二极管通过隔离结构相互绝缘。本技术方案将光电二极管阵列置于互连层上，而不是将光电二极管阵列和控制电路置于同一层，这样可以增加光电二极管的填充比，使光电二极管的填充比不用受控制电路单元面积的约束。光电二极管由直接淀积在控制电路后端互连层上的多晶锗材料构成。多晶锗材料的淀积温度小于450度，与标准的CMOS集成电路后端工艺完全兼容。

主权项

一种光电二极管阵列，其特征在于，位于具有互连层的基底上；所述光电二极管阵列位于所述互连层上，相邻的光电二极管通过隔离结构相互绝缘；所述光电二极管与互连层的对应位置电连接；每一光电二极管包括第一掺杂的多晶半导体层、第二掺杂的多晶半导体层和本征半导体层，所述第一掺杂的掺杂类型和所述第二掺杂的掺杂类型相反；所述第一掺杂的多晶半导体层、第二掺杂的多晶半导体层分别作为光电二极管的两个电极，所述本征半导体层作为光电二极管的耗尽层；所述第一掺杂的多晶半导体层和第二掺杂的多晶半导体层均为多晶锗硅层，所述本征半导体层为本征锗硅层；或者，所述第一掺杂的多晶半导体层和第二掺杂的多晶半导体层均为多晶锗层，所述本征半导体层为本征锗层；所述互连层上具有第一介质层，所述第一介质层具有第一开口阵列和第二开口阵列，所述第一开口、第二开口分别暴露出光电二极管与互连层的连接位置；每一光电二极管包括：位于所述第一开口内的第一掺杂的多晶半导体层，位于所述第二开口内的第二掺杂的多晶半导体层，覆盖所述第一掺杂的多晶半导体层和所述第二掺杂的多晶半导体层的本征半导体层。