[发明专利]嵌入式硅纳米晶SONOS器件制造方法无效
| 申请号： | 201210170340.X | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102683292A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 田志;谢欣云;匡玉标 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式硅纳米晶SONOS器件制造方法，包括：在衬底上欲形成栅极的区域形成第一氧化层并进行第一次退火工艺；在第一氧化层上形成氮化硅层，氮化硅层中嵌有硅纳米晶；在氮化硅层上形成第二氧化层并进行第二次退火工艺；在第二氧化层上形成一硅层作为控制栅。本发明在形成第一氧化层后进行第一次退火工艺，使得衬底与第一氧化层界面处的界面态密度减小；在所述氮化硅层上形成第二氧化层进行第二次退火工艺，能够进一步改善衬底与第一氧化层的界面态，还可以改善硅纳米晶和氮化硅的界面，使纳米晶与氮化硅的界面在编译和擦除过程中不易保留电荷，从而提高嵌入式纳米晶SONOS器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 纳米 sonos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入式硅纳米晶SONOS器件制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上欲形成栅极的区域形成第一氧化层，并进行第一次退火工艺；在所述第一氧化层上形成氮化硅层，所述氮化硅层中嵌有硅纳米晶；在所述氮化硅层上形成第二氧化层，并进行第二次退火工艺；在所述第二氧化层上形成一硅层作为控制栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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