[发明专利]碳化硅薄膜制作方法以及金属阻挡层制作方法无效
| 申请号： | 201210170352.2 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102683199A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅薄膜制作方法，在淀积一定厚度的碳化硅薄膜后，采用碳氢化合物对其进行远程等离子体处理，如此可去除碳化硅薄膜里的氮元素，并且由于是远程等离子体处理，对被处理的碳化硅薄膜表面几乎没有任何损伤，这样周而复始几个循环达到目标厚度后结束，利用本发明制备出来的碳化硅薄膜氮含量极低，从而避免了光阻中毒的风险，并且每一层碳化硅薄膜均用远程等离子体来进行处理，所以最后形成的碳化硅薄膜的品质没有任何的变差，并可延长腔体内一些部件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 薄膜 制作方法 以及 金属 阻挡 | ||
【主权项】：
一种碳化硅薄膜制作方法，包括：S1：采用含氮气体沉积碳化硅薄膜；S2：采用碳氢化合物对所述碳化硅薄膜进行远程等离子体处理；重复所述步骤S1至S2，直至形成目标厚度的碳化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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