[发明专利]一种基于N型硅片倾斜金属接触结构的异质结太阳电池

摘要

本发明涉及一种基于N型硅片倾斜金属接触结构的异质结太阳电池。其包括N型单晶硅基体、正电极、负电极、透明导电薄膜以及在N型单晶硅基体正面和背面制备形成的若干膜层；在N型单晶硅基体背面制备形成的膜层包括N⁺重掺层，形成N⁺/N高低结；N型单晶硅基体正面和背面的最外层均制备形成一层透明导电薄膜；在N型单晶硅基体正面设有凹槽，电池正电极设置于凹槽内；电池负电极设置于N型单晶硅基体背面。本发明不会出现常规P型晶硅和非晶硅薄膜的晶硅构成的异质结太阳电池的大幅光衰现象，光谱响应更好，且厚度大大减薄；栅线遮光面积由常规丝印方式的6%降低至1%，提高太阳电池的转化效率；可采用低温生产工艺从而降低生产成本。

主权项

1.一种基于N型硅片倾斜金属接触结构的异质结太阳电池，包括N型单晶硅基体（7）、电池正电极（3）、电池负电极（9）、透明导电薄膜TCO（4）以及在所述N型单晶硅基体（7）正面和背面制备形成的若干膜层；其特征在于：所述的在N型单晶硅基体（7）背面制备形成的膜层包括N⁺重掺层（8），形成N⁺/N高低结；所述N型单晶硅基体（7）正面和背面的最外层均制备形成一层透明导电薄膜TCO（4）；所述在N型单晶硅基体（7）正面设有凹槽（1），所述的电池正电极（3）设置于凹槽（1）内；所述的电池负电极（9）设置于所述N型单晶硅基体（7）背面。