[发明专利]基片装载装置和PECVD设备有效
申请号: | 201210171062.X | 申请日: | 2012-05-29 |
公开(公告)号: | CN103451630A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 张孟湜 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/44 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基片装载装置,包括:基片上料组件,包括:分别放置有基片的至少两个料盒;平行地水平设置且沿传输方向同步运动的至少三条传送带;上料台,上料台与至少三条传送带的第二端对应设置;限位组件,所述限位组件设在上料台的第二端上以同步停止至少三条传送带;和取片机械手;载片装置,所述载片装置包括升起气缸和设在升起气缸上方的至少两个托盘,其中取片机械手将取到的至少两个基片一一对应地放置到至少两个托盘上;与上料台并列设置的载板;以及设在载板和载片装置之间的上料机械手。根据本发明的基片装载装置,整个上料过程的效率得到了大幅的提高,节省了成本,而且结构简单。本发明还公开了一种PECVD设备。 | ||
搜索关键词: | 装载 装置 pecvd 设备 | ||
【主权项】:
一种基片装载装置,包括基片上料组件,其特征在于,所述基片上料组件包括:至少两个料盒,所述至少两个料盒用于在其中容纳基片;至少三条传送带,所述至少三条传送带平行地水平设置且沿着所述传输带的传输方向同步运动用于将至少两个料盒从所述传送带的第一端同步传送至第二端;上料台,所述上料台与所述至少三条传送带的第二端对应设置以接纳所述至少三条传送带送来的至少两个料盒;限位组件,所述限位组件设在所述上料台的第二端上,当所述至少两个料盒到达所述限位组件处时所述至少三条传送带同步停止;以及取片机械手,所述取片机械手用于从所述至少两个料盒内中同时对应地取出至少两个基片放置到载板上;载片装置,所述载片装置包括升起气缸和设在所述升起气缸上方的至少两个托盘,其中所述基片上料组件中的取片机械手将取到的至少两个基片一一对应地放置到所述至少两个托盘上;载板,载板与所述上料台并列设置;以及上料机械手,所述上料机械手设在所述载板和所述载片装置之间以将所述托盘上的至少两个基片取出并放置到所述载板上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的