[发明专利]一种晶体硅位错的检测方法及检测系统有效
| 申请号： | 201210171066.8 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102721697A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 何亮;张涛;胡动力;雷琦;黄雪雯 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88;G01N1/32 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种晶体硅位错的检测方法，包括如下步骤：（1）取待检测晶体硅样品进行抛光，接着用腐蚀液腐蚀，随后终止腐蚀；（2）采用高清成像系统对待检测晶体硅进行成像，得到晶体硅腐蚀图像，从而得到晶体硅腐蚀图像的腐蚀坑灰度像素比例；（3）根据腐蚀坑灰度像素比例与位错密度值之间的关系式，得到所述待检测晶体硅样品的位错密度值。另，本发明还公开了一种晶体硅位错的检测系统。采用本发明提供的晶体硅位错检测方法及检测系统，可对大尺寸的晶体硅直接进行检测，并能得到直观的位错结果，该检测方法简单可靠，为观察晶体硅的位错提供了新的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 硅位错 检测 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种晶体硅位错的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）取待检测晶体硅样品进行抛光，接着用腐蚀液腐蚀，随后终止腐蚀；（2）采用高清成像系统对所述晶体硅进行成像，得到晶体硅腐蚀图像，从而得到所述晶体硅腐蚀图像的腐蚀坑灰度像素比例；（3）根据腐蚀坑灰度像素比例与位错密度值之间的关系式，得到所述待检测晶体硅样品的位错密度值。
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