[发明专利]倒装LED芯片结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210172102.2 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102683524A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张昊翔;金豫浙;封飞飞;万远涛;高耀辉;李东昇;江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种倒装LED芯片结构，包括由下至上依次堆叠的硅合金衬底、金属中间层、P型氮化镓半导体层、有源层、N型氮化镓半导体层。采用了与生长基板热膨胀系数相近的硅合金材质的转移基板作为LED芯片的衬底，降低了LED芯片器件层的晶格错位损伤，减少了漏电流的产生，提升了产品性能。本发明还提出一种上述倒装LED芯片结构的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 led 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种倒装LED芯片结构，其特征在于，包括由下至上依次堆叠的硅合金衬底、金属中间层、P型氮化镓半导体层、有源层、N型氮化镓半导体层。
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