[发明专利]用于光伏装置的薄膜层的折射率匹配及其制造方法在审
申请号: | 201210172338.6 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN102810572A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | R.D.戈斯曼 | 申请(专利权)人: | 初星太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/073;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;李家麟 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一般提供薄膜光伏装置(10)。在一个实施例中,该装置(10)包括玻璃基板(12)上的高折射率层(11)(例如,具有约2或更大的折射率)和高折射率层(11)上的低折射率层(13)(例如,具有约1.5或更小的折射率)。透明导电氧化物层(14)位于该低折射率层(13)上,以及光伏异质结(例如,硫化镉层(18)和碲化镉层(20))位于该透明导电氧化物层(14)上。在备选实施例中,该装置(10)可包括玻璃基板(12)上的低折射率层(13)和低折射率层(13)上的高折射率层(11)。一般还提供用于制造这种薄膜光伏装置(10)的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 装置 薄膜 折射率 匹配 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜光伏装置(10),包括:玻璃基板(12);所述玻璃基板上(12)的高折射率层(11),其中所述高折射率层(11)具有约2或更大的折射率;所述高折射率层(11)上的低折射率层(13),其中所述低折射率层(13)具有约1.5或更小的折射率;所述低折射率层(13)上的透明导电氧化物层(14);以及所述透明导电氧化物层(14)上的光伏异质结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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