[发明专利]高阈值电压氮化镓增强型晶体管结构及制备方法有效
| 申请号： | 201210172341.8 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102709322A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘兴钊;陈超;李言荣;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 高阈值电压氮化镓增强型晶体管结构及制备方法，涉及半导体技术。本发明自下至上包括基板、GaN和AlGaN层和绝缘栅介质层，其特征在于，所述绝缘栅介质层包括绝缘隧道层、固定电荷层和绝缘帽层，固定电荷层设置于绝缘隧道层上方或嵌于绝缘隧道层上部，固定电荷层的上方设置有绝缘帽层，绝缘帽层上方为栅金属。本发明的有益效果是，与其它制造增强型GaN场效应晶体管的技术相比，本技术的制备工艺可控性好，所研制的器件性能重复性好。所研制的增强型GaN MISHEMT器件性能良好，阈值电压大，最大源漏饱和电流密度大，栅漏电小，器件工作电压范围宽，完全可满足GaN集成电路研制需要。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值 电压 氮化 增强 晶体管 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
高阈值电压氮化镓增强型晶体管结构，自下至上包括基板、GaN和AlGaN层和绝缘栅介质层，其特征在于，所述绝缘栅介质层包括绝缘隧道层、固定电荷层和绝缘帽层，固定电荷层设置于绝缘隧道层上方或嵌于绝缘隧道层上部，固定电荷层的上方设置有绝缘帽层，绝缘帽层上方为栅金属。
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