[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置无效
| 申请号： | 201210172597.9 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102810484A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 齐藤弘和 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置，提供一种半导体装置的制造方法，抑制搭载半导体芯片的基板的结晶缺陷，并且缩短制造时间。在本实施方式的半导体装置（101）（其制造方法）中，经过如下工序之后，在该状态下在第二绝缘膜（16）上形成布线结构（26）：在基板（例如第一半导体芯片（10））上形成第一绝缘膜（14）的工序，在第一绝缘膜（14）形成开口部（14B）的工序，在第一绝缘膜（14）的开口部内搭载第二半导体芯片（12）的工序，以及跨越在第二半导体芯片（12）上和第一绝缘膜（14）上形成第二绝缘膜（16）的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其中，至少具有：在基板上形成第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜形成开口部的工序；在所述第一绝缘膜的所述开口部内搭载半导体芯片的工序；跨越在所述半导体芯片上和所述第一绝缘膜上，形成第二绝缘膜的工序；以及在所述第二绝缘膜上形成与所述半导体芯片电连接的布线结构的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
