[发明专利]一种具有金字塔阵列结构的LED芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201210172631.2 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102709425A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 汤勇;丁鑫锐;李宗涛;袁冬;蔡卓宇 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 齐荣坤 |
| 地址： | 510640 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有金字塔阵列结构的LED芯片及其制造方法。一种具有金字塔阵列结构的LED芯片包括具有外延层的透明衬底、所述透明衬底顶部表面为金字塔阵列结构，透明衬底的底部为外延层，外延层的底部为芯片电极的正、负极，所述金字塔阵列结构由“V”字形沟槽阵列相互交错构成。本发明的芯片具有较大的比表面积，可大大增加汽化核心，有利于蒸发沸腾的过程中的汽化过程，使其具有优良的沸腾强化换热能力，其加工效率大大增高，加工工艺简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 金字塔 阵列 结构 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有金字塔阵列结构的LED芯片，其特征在于，包括具有外延层的透明衬底、所述透明衬底顶部表面为金字塔阵列结构，透明衬底的底部为外延层，外延层的底部为芯片电极的正、负极，所述金字塔阵列结构由“V”字形沟槽阵列相互交错构成。
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