[发明专利]半导体受光装置无效
| 申请号： | 201210173417.9 | 申请日： | 2012-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102800736A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 中路雅晴;竹村亮太 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;卢江 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是得到一种能够抑制电气以及光学串扰并且即使采用比较廉价的透镜也能够获得高感光灵敏度的半导体受光装置。本发明的解决手段是在Fe-InP半绝缘性基板上(1)上设置彼此电分离的4个受光元件(2a～2d)。在各受光元件(2a～2d)中，Fe-InP半绝缘性基板(1)上依次层叠n型InGaAs导电层(3)、n型InP导电层(4)、进行光电转换的i型InGaAs光吸收层(5)、以及i型InP窗口层(6)。在i型InP窗口层(6)的一部分上设置形成受光部(9)的p型InP杂质扩散区(8)。导电层的一部分由与i型InGaAs光吸收层(5)相同的材料构成。4个受光元件(2a～2d)的受光部(9)的全部不配置在同一直线上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体受光装置，其特征在于，具有半绝缘性基板；和设置在所述半绝缘性基板上且彼此电分离的n个的受光元件，其中，n是4以上的自然数，各受光元件具有在所述半绝缘性基板上依次层叠的第1导电型的导电层、进行光电转换的光吸收层及窗口层、和设置在所述窗口层的一部分并成为受光部的第2导电型的杂质扩散区，所述导电层的一部分由与所述光吸收层相同的材料构成，所述n个受光元件的受光部的全部不配置在同一直线上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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