[发明专利]四边扁平无引脚多圈排列IC芯片封装件生产方法及封装件有效
申请号: | 201210173671.9 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN102683230A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 朱文辉;慕蔚;徐召明;李习周;郭小伟 | 申请(专利权)人: | 天水华天科技股份有限公司;华天科技(西安)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/495;H01L23/31 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人: | 李琪 |
地址: | 741000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明提供了一种四边扁平无引脚多圈排列IC芯片封装件生产方法及封装件,经过晶圆减薄、划片、上芯、压焊、塑封、后固化、打印,蚀刻液蚀刻引线框架背面;水洗后酸洗;清洗风干;磨削后再清洗;按质量标准对引脚分离效果进行抽检;抛光水洗烘干;在抛光表面依次化学镀铜层和纯锡层;将单元产品从框架上分离;常规测试包装入库,制得四边扁平无引脚多圈排列IC芯片封装件。该封装件包括粘贴有芯片的引线框架载体和其周围环绕设置的多个互不相连引脚组成的三圈引脚圈,引线框架载体和所有引脚通过引线框架本体相连,引线框架上固封有塑封体。本发明方法克服了现有刀片切割技术无法分离多圈QFN引脚的问题,使多圈QFN引脚能够分离。 | ||
搜索关键词: | 四边 扁平 引脚 排列 ic 芯片 封装 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种四边扁平无引脚多圈排列IC芯片封装件生产方法,其特征在于,该方法具体按以下步骤进行:步骤1:晶圆减薄晶圆减薄最终厚度为150~200µm;减薄后晶圆的粗糙度Ra为0.05μm~0.09μm,平整度±18μm;步骤2:划片,得到IC芯片;划片过程中应用防碎片、防裂纹划片工艺软件控制技术,划片进刀速度≤10mm/s;步骤3:上芯在多圈直连式或多圈交叉式四边无引脚排列的QFN框架粘贴IC芯片,在175℃±5℃的温度下烘烤3h±0.5h,防离层工艺烘烤;步骤4:压焊从IC芯片上的每一个焊盘向引线框架载体上多圈排列的内引脚打线;步骤5:塑封选用吸水率≤0.35%、膨胀系数a1≤1的环保型塑封料进行塑封;塑封时采用超薄型封装防翘曲工艺和多段注塑防翘曲软件控制技术,解决冲丝、翘曲和离层的难题:步骤6:使用ESPEC烘箱将塑封后的产品后固化5小时,固化温度为150℃;步骤7:同常规QFN打印;步骤8:引脚分离a)等离子清洗去除前道工序造成的框架表面沾污物;b)采用单面喷淋方法将蚀刻液喷淋在引线框架背面,将引线框架背面蚀刻掉厚度为80μm~100μm的一层,c)对蚀刻后的产品进行两段水洗,然后用浓度为10ml/L~15ml/L的盐酸溶液进行酸洗;d)去离子水进行3~5段清洗;e)依次进行冷风风干和热风风干;f)磨削,磨削厚度为20μm~40μm,磨削精度为±3μm;g)去离子水清洗;h)按质量标准对引脚分离效果进行抽检;i)采用流体抛光对磨削后的表面进行抛光,抛光量为5μm~10μm,传动速度0.4m/min;沙与水的混合比例1:3,抛光后表面的粗糙度Ra为0.2,抛光后先进行三段水洗,再进行两段烘干;步骤9:化学镀用化学镀工艺在抛光表面镀覆厚度为3μm~8μm的铜层,然后在该铜层表面化学镀厚度为7μm~15μm的纯锡层;步骤10:产品分离将单元产品从框架上分离,在切割分离过程中采用防胶体裂纹技术;步骤11:测试/编带常规测试同传统QFN产品的O/S及开短路测试,同时还需进行电性能及热性能测试,确保产品的高良率和高可靠性;然后,包装入库,制得四边扁平无引脚多圈排列IC芯片封装件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造