[发明专利]单晶体管单电阻器电阻式存储器元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种存储器结构，其包含有有源区域，被第一绝缘沟槽及第二绝缘沟槽包围，第一绝缘沟槽沿着一第一方向延伸，第二绝缘沟槽沿着一第二方向延伸；位线沟槽，凹入有源区域中，该位线沟槽沿着一第二方向延伸并横截该第一绝缘沟槽；字线沟槽，凹入该有源区域中且沿着一第一方向延伸并横截该第二绝缘沟槽，其中位线沟槽与字线沟槽共同将有源区域区分成四个柱状子区域；位线是埋入于该位线沟槽中；字线是埋入于该字线沟槽中；垂直晶体管，内建于各柱状子区域；以及存储器电阻器件，其电耦合该垂直晶体管。

主权项

一种存储器结构，其特征在于，包含：一有源区域，位于一半导体基底中，被一第一绝缘沟槽及一第二绝缘沟槽包围，其中所述第一绝缘沟槽沿着一第一方向延伸，所述第二绝缘沟槽沿着一第二方向延伸；一位线沟槽，凹入所述有源区域及所述半导体基底中，其中所述位线沟槽沿着所述第二方向延伸并横截所述第一绝缘沟槽；一字线沟槽，凹入所述有源区域及所述半导体基底中，其中所述字线沟槽较所述位线沟槽还浅，且所述字线沟槽沿着所述第一方向延伸并横截所述第二绝缘沟槽，其中所述位线沟槽与所述字线沟槽共同将所述有源区域区分成四个柱状子区域；一位线，埋入于所述位线沟槽中；一字线，埋入于所述字线沟槽中；一垂直晶体管，内建于各所述柱状子区域；以及一存储器电阻器件，电耦合所述垂直晶体管。