[发明专利]制备TFT-LCD阵列基板铜导线用靶材的方法及靶材无效
| 申请号： | 201210174287.0 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102703869A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 寇浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;B22F3/105 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备TFT-LCD阵列基板铜导线用靶材的方法及靶材，所述制备TFT-LCD阵列基板铜导线用靶材包括如下步骤：步骤1、提供铜粉及放电等离子体活化烧结装置；步骤2、将铜粉添加入放电等离子体活化烧结装置中进行烧结，制得制备TFT-LCD阵列基板铜导线用靶材。本发明制备TFT-LCD阵列基板铜导线用靶材的方法，通过放电等离子体活化烧结装置将铜粉烧结为靶材，其制程简单，效率高，且能有效控制靶材晶面取向，提升靶材性能，进而使得用该靶材形成的铜导线电阻率低，薄膜应力小，且表面粗糙度低。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 tft lcd 阵列 基板铜 导线 用靶材 方法 | ||
【主权项】：
一种制备TFT‑LCD阵列基板铜导线用靶材的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供铜粉及放电等离子体活化烧结装置；步骤2、将铜粉添加入放电等离子体活化烧结装置中进行烧结，制得制备TFT‑LCD阵列基板铜导线用靶材。
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