[发明专利]高击穿电压P型LDMOS器件及制造方法有效

专利信息
申请号: 201210174551.0 申请日: 2012-05-30
公开(公告)号: CN103456783A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 邢超;刘剑;孙尧 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种高击穿电压P型LDMOS器件,具有元胞区和位于元胞区外围环绕的保护环结构,所述元胞区内含有:一第一N型深阱,第一N型深阱中还具有第二N阱及浅P型区和P型漂移区,三者在第一N型深阱中从左至右依次排列相互抵靠;第二N阱中具有重掺杂N型区和源区,且两者之间有浅槽隔离结构隔离;P型漂移区中有漏区,漏区两侧均具有浅槽隔离结构,P型漂移区的左右边界位于漏区两侧的浅槽隔离结构之下;浅P型区位于第二N阱及P型漂移区之间,栅极之下,其掺杂浓度及结深均低于P型漂移区;本发明还公开了所述高击穿电压P型LDMOS器件的制造方法,本发明优化了器件水平方向上的击穿电压和垂直方向上的穿通电压,提高了器件的耐压水平。
搜索关键词: 击穿 电压 ldmos 器件 制造 方法
【主权项】:
一种高击穿电压P型LDMOS器件,其特征在于:在P型硅衬底上具有元胞区及环绕包围在元胞区外围构成的隔离环结构,所述元胞区内含有第一N型阱;在所述第一N型阱中,还具有第二N型阱、P型区及P型漂移区,第一N型阱深度均大于第二N型阱、P型区及P型漂移区以将其包含容纳,第二N型阱、P型区及P型漂移区在第一N型阱中从左至右互相抵靠依次排布,所述第一N型阱的左右边界都位于浅槽隔离结构之下;所述第二N型阱中,包含有重掺杂N型区、浅槽隔离结构及源区,浅槽隔离结构位于重掺杂N型区和源区之间,所述重掺杂N型区将第二N型阱引出;一P型区,位于第二N阱及所述P型漂移区之间,其左侧边界与第二N阱右边界抵靠,右侧边界与P型漂移区左侧边界抵靠,且P型区与P型漂移区交界面位于一浅槽隔离结构之下,所述P型区的结深低于P型漂移区的结深;一P型漂移区,包含住漏区,漏区左侧为P型区与P型漂移区交界面上方的浅槽隔离结构,漏区右侧为另一浅槽隔离结构,P型漂移区的右边界即位于所述浅槽隔离结构之下;P型漂移区右边界外侧与第一N型阱的右边界内侧之间的区域还具有保护环结构,所述的保护环结构,是在P型漂移区右边界上方的浅槽隔离结构与第一N型阱右边界上方的浅槽隔离结构之间的区域注入形成重掺杂N型区形成;栅氧化层,淀积在源区与漏区之间的硅片表面上,其左侧端面与源区右侧界面重叠,栅氧化层右端包含在P型区之内,其右端面不超过P型区的右边界的上方,栅氧化层上方淀积多晶硅栅极。
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