[发明专利]存储元件和存储装置有效
| 申请号： | 201210174839.8 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102820426B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 水口彻也;保田周一郎;紫牟田雅之;大场和博;荒谷胜久 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 褚海英,武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储元件和包含该存储元件的存储装置，所述存储元件包括设置在第一电极和第二电极之间的存储层。所述存储层包括离子源层，其包含一种以上金属元素以及碲(Te)、硫(S)和硒(Se)中的一种以上硫族元素；以及电阻变化层，其设置在离子源层和第一电极之间，所述电阻变化层包括含有碲和氮(N)且与离子源层接触的层。本发明的存储元件和存储装置能够提供良好的保持特性和改进的重复操作特性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，其包括设置在第一电极和第二电极之间的存储层，其中，所述存储层包括：离子源层，其包含一种以上金属元素以及碲、硫和硒中的一种以上硫族元素；以及电阻变化层，其设置在所述离子源层和所述第一电极之间，所述电阻变化层包括更靠近所述第一电极的第一电阻变化层以及更靠近所述离子源层的第二电阻变化层，并且所述第一电阻变化层包括氧化物层，并且所述第二电阻变化层包括含有碲和氮的层。
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