[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210175754.1 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102683388A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王巍;王敬;郭磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的凹槽，所述凹槽中填充有稀土氧化物；部分或全部位于所述稀土氧化物上沟道区；和位于所述沟道区两侧的源区和漏区。通过在半导体器件的源区和漏区下方形成稀土氧化物层，从而向CMOS器件的源漏区和沟道区引入类型和大小可调的应力，显著提升半导体器件的迁移率，并且，利用稀土氧化物的晶体特性，以晶体生长的方式形成应力源，极大地简化了工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的凹槽，所述凹槽中填充有稀土氧化物；部分或全部位于所述稀土氧化物上的沟道区；和位于所述沟道区两侧的源区和漏区；其中，所述稀土氧化物的晶格常数a与所述沟道区和或所述源区和漏区的半导体材料的晶格常数b的关系为：a=(n±c)b，其中n为整数，c为晶格常数失配率，0
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