[发明专利]一种取代二、三元系芯片的四元系芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201210176155.1 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102709435A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞 | 申请（专利权）人： | 东莞洲磊电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 雷利平 |
| 地址： | 523590 广东省东莞市谢*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于LED芯片的制造技术领域，一种取代二、三元系芯片的四元系芯片的制作方法，（1）在所述GaAs基板上磊晶，形成磊晶层，作为芯片的PN接面；（2）将所述GaAs基板的负极面进行研磨减薄；（3）在研磨减薄后的所述GaAs基板的负极面沉积一层Au薄膜，作为芯片的负极端；（4）在所述磊晶层的上方，镀一层用于遮挡所述磊晶层发出光线的吸光层；（5）在所述磊晶层上沉积等间距排列的BeAu薄膜层，再在所述BeAu薄膜层上沉积Au薄膜层，然后经过高温蒸镀，使Au薄膜层与BeAu薄膜层融合在一起，作为所述LED芯片的正极端。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取代 三元 芯片 四元系 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种取代二、三元系芯片的四元系芯片，包括GaAs基板，所述GaAs基板的一面设有磊晶层；所述GaAs基板的另一面镀有负极端；其特征在于：所述磊晶层上镀有用于吸收光的吸光层，所述吸光层上沉积有等间距排列设置的正极端。
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