[发明专利]一种TM偏振的GaAsP/GaInP有源区808nm量子阱激光器

摘要

本发明提供了一种TM偏振的GaAsP/GaInP有源区808nm量子阱激光器，其结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、欧姆接触层，上波导层和下波导层采用无铝材料镓铟磷，量子阱层为镓砷磷材料，波导层和量子阱层共同组成宽波导无铝有源区。本发明能够有效降低Al组分的氧化、生长界面粗糙、腔面处附生电场对激光器大功率输出和长寿命等可靠性的影响。同时波导层和限制层经过优化设计为宽波导非对称结构，能够有效降低内损耗、提高最大输出功率和可靠性。

主权项

一种TM偏振的GaAsP/GaInP有源区808nm量子阱激光器，其特征在于，其包括由下至上设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层和欧姆接触层；所述衬底为（100）面偏（110）方向的N型高掺杂镓砷，偏角大小为0‑15°；所述缓冲层为厚度300‑500nm的N型高掺杂镓砷材料；所述下限制层为厚度1.0‑1.4μm的N型铝镓铟磷材料，其中N型杂质为Si；所述下限制层的铝的含量为5‑10%；所述下波导层为厚度600‑900nm的镓铟磷；所述量子阱层为张应变的GaAsP材料；所述上波导层为厚度350‑650nm的镓铟磷；所述下波导层的厚度大于上波导层的厚度；所述上限制层为P型铝镓铟磷，所述上限制层的厚度为1.0‑2.0μm，所述上限制层中铝含量为10%‑20%；所述欧姆接触层为P型高掺杂镓砷。