[发明专利]一种选择性发射极晶体硅太阳电池的磷浆扩散工艺有效
| 申请号： | 201210177197.7 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102732967A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 梅超;黄治国;王鹏;刘颖丹;杨丽琼;柳杉;包兵兵 | 申请（专利权）人： | 上饶光电高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/02 | 分类号： | C30B31/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 334100 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种选择性发射极晶体硅太阳电池的磷浆扩散工艺，对扩散工艺步骤进行相关参数调整，找到适合选择性发射极晶体硅太阳电池磷浆的扩散方式，使得产生明显的重掺杂区和浅掺杂区，可以提高光线的短波响应，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 晶体 太阳电池 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
一种选择性发射极晶体硅太阳电池的磷浆扩散工艺，其特征为：步骤包括：常规酸制绒、准备阶段、进舟阶段、出浆阶段、检漏阶段、加热阶段、稳定温度阶段、预氧化阶段、沉积阶段、后氧化阶段、推进阶段、冷却阶段、进浆阶段、出舟阶段。
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