[发明专利]半导体器件和使用引线框本体形成开口的方法有效
申请号: | 201210177983.7 | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN102810507B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | H.基;N.仇;H.辛 | 申请(专利权)人: | 新科金朋有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/495;H01L23/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 马永利,李浩 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及半导体器件和使用引线框本体形成开口的方法。半导体器件具有引线框,该引线框具有从底板延伸的多个本体。第一半导体管芯安装到本体之间的引线框的底板。密封剂沉积在第一半导体管芯和底板上方以及引线框的本体周围。引线框的本体上方的密封剂的一部分被移除以形成露出本体的密封剂中的第一开口。互连结构形成于密封剂上方并且延伸到第一开口中到达引线框的本体。引线框和本体被移除以形成与先前由本体占据的空间对应的密封剂中的第二开口从而露出互连结构。第二半导体管芯安装在第一半导体管芯上方,凸块延伸到密封剂的第二开口中从而电连接到互连结构。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 使用 引线 本体 形成 开口 方法 | ||
【主权项】:
一种制作半导体器件的方法,包括:提供载体,其具有从载体延伸的第一、第二和第三本体,所述第二本体在所述第一本体和所述第三本体之间;将第一半导体管芯设置在所述第二和第三本体之间的载体上方;将密封剂沉积在第一半导体管芯和载体上方以及所述第一和第二本体之间;移除载体的本体上方的密封剂的一部分,从而形成露出本体的密封剂中的第一开口;将互连结构形成于密封剂上方并且延伸到第一开口中到达包括与所述第一本体接触的第一导电层的载体的本体;移除载体和本体,以形成与先前由本体占据的空间对应的密封剂中的第二开口从而露出所述第一导电层,所述第二开口包括蜂窝布置;以及在与所述互连结构相对的所述第一半导体管芯上方设置第二半导体管芯,其包括设置在所述第二开口中并与所述第一导电层相接触的所述第二半导体管芯的多个凸块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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