[发明专利]用于增强闩锁免疫性的有源拼接布局无效
| 申请号： | 201210178054.8 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102810124A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | R·S·鲁思;M·A·卡尼;B·J·佩珀特;任具祥;J·L·沃纳 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括CMP虚拟拼接(36)，通过在虚拟拼接的顶表面形成阱区(42)、在阱区的顶部形成硅化物(52)以及形成金属互连结构(72,82)与硅化的连阱区相接触而将CMP虚拟拼接转换成有源拼接，以用于将虚拟拼接电连接至预定的供电电压从而提供闩锁保护。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 免疫性 有源 拼接 布局 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供第一导电类型的半导体衬底，包括间隔开的多个拼接以促进在半导体衬底内形成的一个或多个浅槽隔离区的平坦化学机械抛光；在多个拼接中每一个的顶表面处形成对应的第一导电类型的多个连接区域；形成金属互连结构与所述多个连接区域相接触，以用于将所述多个拼接电连接至预定的供电电压从而提供闩锁保护。
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