[发明专利]先行氩离子注入损伤氧化层控制腐蚀角度的方法无效
| 申请号： | 201210179233.3 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102709174A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王修中;邢文超;王亮;杨寿国;黄光波 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3115 | 分类号： | H01L21/3115 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
先行氩离子注入损伤氧化层控制腐蚀角度的方法，在半导体器件制造过程中，先行通过氩离子注入损伤氧化层，实现对腐蚀角度的控制，属于半导体器件制造技术领域。现有技术采用NH4F:HF=6:1的室温BOE腐蚀，腐蚀角度达到30~45°，尽管采用0~20℃的低温BOE腐蚀，腐蚀角度也只是减小到24°～31°，这个角度依然会导致器件边缘电场较强，可靠性变差，对于高压器件来说危害更大，因此，希望能够将腐蚀角度控制到更小的区间内。本发明是这样实现的，在硅片氧化后生成的SiO2层厚度为 |
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| 搜索关键词： | 先行 离子 注入 损伤 氧化 控制 腐蚀 角度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种先行氩离子注入损伤氧化层控制腐蚀角度的方法，在硅片（2）氧化后生成的SiO2层（1）厚度为![]()
采用低温BOE腐蚀，其特征在于，在硅片（2）氧化之后、光刻之前，先行氩离子注入，注入能量70~100keV，注入剂量1E15~1E14个/cm2，之后光刻、腐蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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