[发明专利]具高电流增益的异质接面双极晶体管结构及其加工方法无效
| 申请号： | 201210179852.2 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN103456777A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 萧宏彬;谢长霖 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具高电流增益的异质接面双极晶体管改良结构及其加工方法，其中前述改良结构包括有一基板、一p型掺杂缓冲层、一次集极层、一集极层、一基极层、一射极层、一射极覆盖层以及一射极接触层；以多道蚀刻加工蚀刻出一基极电极接触区，并使蚀刻加工终止于基极层，再于基极电极接触区之内蚀刻出一集极电极接触区，使蚀刻加工终止于次集极层；于该基极电极接触区内，该基极层之上，设置一基极电极；于该集极电极接触区内，该次集极层之上，设置一集极电极；再于该射极层上设置一射极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 增益 异质接面 双极晶体管 结构 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种异质接面双极晶体管结构，其特征在于，包括：一基板；一p型掺杂缓冲层，是形成于该基板之上；一次集极层，是形成于该p型掺杂缓冲层之上；一集极层，是形成于该次集极层之上；一基极层，是形成于该集极层之上；一射极层，是形成于该基极层之上；一集极电极，是设置于该次集极层的一端；一基极电极，是设置于该基极层的一端；一射极电极，是设置于该射极层之上。
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