[发明专利]一种等离子全方位离子沉积设备

摘要

一种等离子全方位离子沉积设备，该设备包括真空镀膜室、抽气系统、人机控制系统、充气系统等部分，所述真空镀膜室内设有用于放置镀膜工件的支架，其特征在于，该设备还设置有等离子增强装置和DLC涂层掺杂装置，该增强装置由位于真空镀膜室内的一根金属丝和自耦变压器、隔离变压器、直流放电电源组成，DLC涂层掺杂装置由外置式气源输入装置和内置式金属蒸汽源高频感应加热装置组成。本发明装置在镀膜的过程中，由于等离子体密度的提高，更多的带正电的离子在工件表面沉积，从而提高镀膜速率，而且，大量的离子轰击使DLC的致密度和结合力提高，另外，金属元素掺杂后可以显著降低DLC涂层的内应力。

主权项

一种等离子全方位离子沉积设备，该设备包括真空镀膜室、抽气系统、人机控制系统、充气系统、真空检测系统以及高压电源系统，所述真空镀膜室内设有用于放置镀膜工件的绝缘支架，其特征在于，该设备还设置有等离子增强装置，所述等离子增强装置由位于真空镀膜室内的一根金属丝和电源装置组成，所述电源装置由用来控制金属丝上输出功率的自耦变压器、接在自耦变压器输出端的隔离变压器以及直流放电电源组成，所述自耦变压器与交流电源相连，所述隔离变压器下端通过引线穿入真空镀膜室内与真空镀膜室内的金属丝相连形成回路，所述直流放电电源一端与金属丝相连，另一端接地；DLC涂层掺杂装置，所述掺杂装置包括与真空镀膜室通过管道相连的外置式气源输入装置和位于真空镀膜室内的内置式金属蒸汽源高频感应加热装置。