[发明专利]一种凹坑形永磁体及包括该永磁体的磁传感器无效

专利信息
申请号: 201210180463.1 申请日: 2012-06-04
公开(公告)号: CN102723163A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 刘明峰;白建民;诸敏 申请(专利权)人: 江苏多维科技有限公司;兰州大学
主分类号: H01F7/02 分类号: H01F7/02;H01F1/057;H01F1/047;H01F1/10;H01F41/02;G01D5/12
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 张雪梅
地址: 215634 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种凹坑形永磁体及使用该永磁体的磁传感器。该永磁体呈凹坑形。所述永磁体的坑沿面(121)呈回形,坑底面(122)和坑侧面(123)为长方形或正方形,且所述坑侧面(123)分别与所述坑沿面(121)和所述坑底面(122)垂直。所述永磁体产生的磁场Happly沿Z轴方向的分量能够提供磁敏感元件需要的目标磁场,且所述永磁体产生的磁场Happly沿X轴和Y轴方向的分量趋近于零或者是处于一个很小的数值区间内。将所述永磁体用于磁传感器时,能够使磁敏感元件在保持高灵敏度的前提下工作在其线性工作区,从而使磁传感器的性能优化。所述永磁体结构简单,成本低,使用方便。
搜索关键词: 一种 凹坑形 永磁体 包括 传感器
【主权项】:
一种永磁体,其特征在于,该永磁体呈凹坑形。
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