[发明专利]一种防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法有效
| 申请号： | 201210180846.9 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102664149A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 裘立强;王毅;游佩武 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 225008 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法。涉及的是一种应用于OJ产品碱洗前晶粒表面的处理。提供一种可控制性好、工艺简单，能有效防止腐蚀现象发生的防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法。按以下步骤进行：1）、用去离子水配制KOH溶液，溶液质量比为去离子水：KOH=10：1；2）、将配置的碱溶液加热至50-110℃，保温；3）、将所述芯片置于恒温槽中，芯片表面析出气泡，反应1-20分钟后气泡变少后取出晶片用清水冲洗、晾干；4）、对芯片的顶面和底面镀覆镍金层；5）、碱洗，完毕。本发明大大降低晶粒在后续碱洗制程中Si与碱的反应速率，最终实现防止OJ晶粒碱洗时侧向腐蚀的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 oj 芯片 碱洗时 晶粒 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种防止OJ芯片碱洗时晶粒侧腐蚀的方法，其特征在于，按以下步骤进行：1）、用去离子水配制KOH溶液，溶液质量比为 去离子水：KOH=10：1‑10；2）、将配置的碱溶液加热至50‑110℃，保温；3）、将所述芯片置于恒温槽中，芯片表面析出气泡，反应 1‑20分钟后气泡变少后取出晶片用清水冲洗、晾干；4）、对芯片的顶面和底面镀覆镍金层；5）、碱洗，完毕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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