[发明专利]一种分散硅纳米线阵列绒面的方法

摘要

一种分散硅纳米线阵列绒面的方法，属于化学腐蚀制备光伏绒面领域，特点是在较低温度下较短时间内制备出高质理的绒面结构。与传统碱液制备太阳能绒面相比，提高了绒面质量，降低了光学反射率。通过本发明制备太阳能绒面，只需一些常用化学药品，具有工艺简单、成本低、绒面质量好等特点，在太阳能电池领域具有很大的应用前景。

主权项

一种分散硅纳米线阵列绒面的方法，包括以下步骤：(1)、清洗硅基片：依次用丙酮超声振荡、酒精超声振荡、III号清洗液V(H2O2)∶(H2SO4)＝1∶3加热煮沸2‑20min将硅片清洗干净。(2)、将清洗过的硅片置于高压反应釜中，密封放入烘箱，合适的温度下处理一定时间。高压釜容器中配置适当浓度的HF‑AgNO3腐蚀液，并用去离子水稀释。腐蚀溶液中的HF和AgNO3浓度分别为0.01‑10mol/L，溶液在反应釜的填满度为80％，在烘箱中30‑80℃处理30min。(3)、从反应釜中取出硅片，样品表面覆盖着一层表面疏松的银灰色金属包覆物，用去离子水冲洗干净。(4)、采用王水V(HCl)∶(HNO3)＝3∶1，加热煮沸去除样品中残存的金属包覆物及银颗粒。(5)、样品用去离子水冲洗干净后放入10％HF的溶液中浸泡1‑60秒钟去除自然氧化物，用去离子水冲洗，N2吹干备用。(6)、将所制备的样品放入10w％NaOH+10w％IPA混合碱性溶液中浸泡10‑90秒钟，对束状纳米线阵列进行分散。(7)、分散后的样品冲洗干净后N2吹干做光学性能和表面形貌分析。